太赫茲源量子級(jí)聯(lián)激光器是一種基于量子阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器，能夠發(fā)射太赫茲波段的電磁波。

　　太赫茲源量子級(jí)聯(lián)激光器功能特性分析：

　　1. 高功率與高效率

　　峰值功率：

　　連續(xù)波（CW）模式輸出功率可達(dá)數(shù)十毫瓦至上百毫瓦，脈沖模式峰值功率可達(dá)瓦級(jí)。

　　電光轉(zhuǎn)換效率：

　　優(yōu)化摻雜和共振隧穿設(shè)計(jì)后，效率可達(dá)10%~20%（遠(yuǎn)超傳統(tǒng)太赫茲光源如返波管）。

　　2. 頻率可調(diào)諧性

　　溫度調(diào)諧：

　　通過改變器件溫度，調(diào)節(jié)量子阱能級(jí)間距，實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)諧范圍達(dá)10%~20%。

　　電壓調(diào)諧：

　　利用注入電流或外加電場(chǎng)調(diào)控能帶結(jié)構(gòu)，連續(xù)調(diào)諧頻率。

　　3. 高相干性與窄線寬

　　相干長(zhǎng)度：

　　單模輸出時(shí)相干長(zhǎng)度可達(dá)米級(jí)，適用于太赫茲干涉成像或光譜分析。

　　線寬控制：

　　DFB結(jié)構(gòu)可壓窄線寬至kHz量級(jí)，提升頻譜純度。

　　4. 高速調(diào)制能力

　　直接電流調(diào)制：

　　響應(yīng)帶寬達(dá)GHz量級(jí)，支持高速信號(hào)的太赫茲無線通信。

　　外部調(diào)制：

　　集成電吸收調(diào)制器后，可實(shí)現(xiàn)>10 GHz的調(diào)制帶寬。

　　5. 寬光譜覆蓋

　　頻率范圍：

　　覆蓋0.5~5 THz（可通過材料設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化擴(kuò)展至10 THz以上）。

　　多波長(zhǎng)輸出：

　　通過多段有源區(qū)或光柵耦合，實(shí)現(xiàn)雙波長(zhǎng)或多波長(zhǎng)同時(shí)輸出。

　　太赫茲源量子級(jí)聯(lián)激光器關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

　　1. 緊湊性與便攜性

　　體積與重量：

　　典型器件尺寸僅幾毫米見方，可集成到手持式設(shè)備或無人機(jī)載平臺(tái)。

　　低功耗：

　　驅(qū)動(dòng)電壓通常為幾伏至十幾伏，電流<1 A，適合電池供電場(chǎng)景。

　　2. 環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)

　　溫度穩(wěn)定性：

　　通過熱沉設(shè)計(jì)（如金剛石熱沉）和主動(dòng)溫控，可在-40°C~80°C環(huán)境中穩(wěn)定工作。

　　抗振動(dòng)性能：

　　全固態(tài)結(jié)構(gòu)，無機(jī)械振動(dòng)部件，適合車載或航天應(yīng)用。

　　3. 多功能集成潛力

　　傳感與通信一體化：

　　同一芯片可集成發(fā)射、接收和信號(hào)處理電路，用于太赫茲雷達(dá)或安防檢測(cè)。

　　片上系統(tǒng)集成（SoC）：

　　結(jié)合CMOS工藝，實(shí)現(xiàn)太赫茲光源、探測(cè)器和信號(hào)處理電路的單片集成。